型号:IDT71V3577SA75BGGI | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:119-BGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 同步 |
存储容量 | 4.5M(128K x 36) |
速度 | 75ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
封装/外壳 | 119-BGA |
供应商器件封装 | 119-PBGA(14x22) |
包装 | 托盘 |
供应商
深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!171-4729-9698(微信同号) |
深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷171-4729-0036(微信同号) |
深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道) |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
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- GRM43ER72A225KA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- G7L-2A-PUB-CB DC12
功率,高于 2 安
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Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
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Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- G3JA-C416B AC/DC24
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A
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119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
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陶瓷
Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 2.2UF 100V 20% X7R 1812
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- IDT71V3577SA75BGG8
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功率,高于 2 安
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DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
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陶瓷
Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- IDT71V3577SA75BGGI8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- GSOT24-HT3-GS08
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3-WDFN
DIODE ESD 1LINE 24V LLP75-3B
- GRM43NR72A104KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- G7S-4A2B DC24
功率,高于 2 安
Omron Electronics Inc-EMC Div
RELAY SAFETY 6PST 6A 24V
- IDT71V3577SA75BQGI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
165-TBGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
- GRM43QR72E154KW01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 0.15UF 250V 10% X7R 1812
- GSP1.7500.1
电源输入 - 输入端,输出端,模块
Schurter Inc
3-WDFN
GSP1 APPLIANCE INLET 10A 70
- G7SA-2A2B-DC24
功率,高于 2 安
Omron Electronics Inc-EMC Div
RELAY SAFETY 4PST 6A 24V
- G3JA-C416B AC100-240
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A
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存储器
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119-BGA
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Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 0.068UF 630V X7R 1812
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RELAY BLOCK 16POS 24VDC NPN
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陶瓷
Murata Electronics North America
1812(4532 公制)
CAP CER 0.068UF 630V X7R 1812
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电源输入 - 输入端,输出端,模块
Schurter Inc
3-WDFN
GSP1 APPLIANCE INLET 10A 70
- IDT71V3577SA85BGG
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA
- G7T-1112S-DC12V
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